本文引用：全球半导体解决方案供应商最近宣布推出三个新的高压650V GAN FETS-TP65H030G4PRS，TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQ，包括（包括（AI）的中心（包括（AI）），该数据包括（AI），该数据包括（AI），该数据包括（AI），该数据包括（AI），该数据包括（AI），该数据包括（AI），该数据包括（AI），该数据包括（AI），该数据包括（AI），和服务器电源。建筑），电动汽车的负载，容易发生中断，电池能量的存储，太阳能逆变器的备用电池备用设备。该改进的第四代产品（Gen IV Plus）专为多柯瓦特类应用程序而设计，将有效的GAN技术与兼容硅的驱动器输入相结合，可显着降低开关功率损耗，同时轻松保持基于硅的FET的运行。新产品有三个包装选项：TOLT，TO-247和TOLL，提供什么工程师的灵活性来自定义S的热管理和电路板设计S特定的能源体系结构。这三个新产品基于强大而可靠的Supergan®平台。该平台使用耗尽模式，该模式首次由Transphorm创建，由实际应用测试并于2024年6月获得。基于低损失耗尽技术的产品比基于硅的硅碳化硅（SIC）和其他GAN产品具有更高的效率。此外，4 V阈值电压增加，通过最低门负载，输出电容，交叉损耗和动态电阻的影响最大程度地减少功率损耗。新的Gen IV Plus产品比上一代Gene IV平台的车辆小14％，因此，基于此，它的阻力较低30,000 Hm（MΩ）（RDS（ON）），比上一代低14％，辅助生产和产能产物的性能指标（FOM）提高了20％。较小的骰子尺寸可降低系统成本，降低产出能力，并降低，因此，提高效率和功率密度。这些优势使Gen IV加产品特别具有高性能，高效率和紧凑的尺寸。在需要Lumas的情况下，它是成本敏感和高温应用的理想选择。它们与现有设计完全兼容，可以在保护现有工程投资的同时轻松更新。这些产品在Tolt，TO-247和Toll Compact包装中可用，可为1kW到10kW Energy Systems提供多种包装选项，以满足热力和设计性能的优化要求，并并行连接高能系统。 Nuevo表面组件套件包括较低的热耗散路线（收费）和上部热耗散途径（TOLT）。这会降低房屋的温度，并在电流中需要更多电流时促进设备的并行性。此外，247个常用包装提供了高热容量F或客户并达到更大的输出功率。 GAN Business副总裁Primit Parikh Renesas说：“我们很高兴地宣布，我们致力于为客户提供一系列服务。” “ Gen IV Plus Gan产品的成功释放标志着自从Renesas完成了去年对施用的收购以来的第一个里程碑。未来，将不可能深入地将Renas Controllers产品与超级枪支市场与超级枪支市场相结合以创建新的产品的货币产品，还可以将雷纳斯控制器产品的一致整合到New New Onessan Gangan产品上。因此，与基于SIC和基于硅的半导体交换产品相比，系统开发人员正在迅速成为一个重要的技术这是其在甘恩市场上的优势，该市场提供了涵盖高功率和低功率的gan ft的组成解决方案。这与仅在低功率领域成功的许多其他制造商形成鲜明对比。 Renesas凭借其广泛的产品组合，可以满足更广泛的应用需求和客户群。迄今为止，Renesas向高功率和低功率应用发送了超过2000万个GAAN设备，该站点的累积操作大于300亿小时。现在可以使用供应信息TP65H030G4PRS，TP65H030G4PW，TP65H030G4PQ和4.2kW Totem Pock PFC GAN评估平台（RTDTP4200W066-KIT）。 Renesas认为Power Renesas是基于创新，质量和可靠性的，它带领能源电子行业的发展，每年运输超过40​​亿个组件。我们的产品组合包括能源管理IC，单个乐队产品，计算机喂养设备等。这些产品co确定所有主要市场，包括汽车，物联网，基础设施和工业应用。 Reva Power Portfolio完美地连接了MCU的MPU，SOC和主要模拟解决方案，数百种“赢家组合”以及PowerCompass™和Pownavigator™等创新设计工具简化并显着加速了客户设计过程。